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| GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质 | |
| 引用本文： | 郑玉祥,苏毅,周仕明,马宏舟,陈良尧,郑安生,钱佑华,林成鲁,何冶平.GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质[J].半导体学报,1995,16(11):879-884. |
| 作者姓名： | 郑玉祥 苏毅 周仕明 马宏舟 陈良尧 郑安生 钱佑华 林成鲁 何冶平 |
| 作者单位： | 复旦大学李政道综合实验室物理系，北京有色金属研究总院，中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 本文用低温光致发光光谱（ＰＬ）、椭圆偏振光谱（ＳＥ）、背散射及沟道技术（ＲＢＳ／Ｃ）、扫描电镜技术（ＳＥＭ）等研究了２ＭｅＶ高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体损伤及其光学性质．结果表明高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体不会产生反常膨胀（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ），通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复．椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况，并与背散射结果吻合．用有效介质模型（ＥＭＡ）对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解． |
| 关 键 词： | 锑化镓晶体 半导体材料 氮离子注入 光学性质 |
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