Co—Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

本文用透射电镜的衍射方法，研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变。在250℃，Co2Si为最先形成的硅化物；250℃30分钟处理后，产生大量的CoSi相。450C1小时处理形成单相的CoSi。从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果。