Co—Si界面低温(≤450℃)相变的电子显微术研究 |
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引用本文: | 张灶利,肖治纲,等.Co—Si界面低温(≤450℃)相变的电子显微术研究[J].半导体学报,1995,16(3):195-200. |
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作者姓名: | 张灶利 肖治纲 |
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摘 要: | 本文用透射电镜的衍射方法,研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现:室温下薄膜没有相变。在250℃,Co2Si为最先形成的硅化物;250℃30分钟处理后,产生大量的CoSi相。450C1小时处理形成单相的CoSi。从本实验结果与前人研究结果对比发现:观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果。
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关 键 词: | 硅化物薄膜 相变 电子显微术 Co-Si界面 低温 |
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