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| 退火条件对β—FeSi_2形成的影响 | |
| 作者姓名： | 陈向东 王连卫 林贤 林成鲁 邹世昌 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文采用反应沉积－团相外延法制备β－ＦｅＳｉ２溥膜．不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量．利用卢瑟福背散射方法研究了β－ＦｅＳｉ２的形成过程中的Ｓｉ的扩散。探讨了退火形成β－ＦｅＳｉ２的形成机制． |
| 关 键 词： | β－FeSi2 退火 光电子材料 外延生长 薄膜 |
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