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IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征
引用本文:姜晓鸿,郝跃,徐国华.IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征[J].半导体学报,1998,19(8):625-630.
作者姓名:姜晓鸿  郝跃  徐国华
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所
摘    要:为了进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的.然而,真实的缺陷的形貌是多种多样的.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征.该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索

关 键 词:IC  缺陷轮廓  设计  盒维数
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