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| 使用选择性退火生长绝缘层上大晶粒硅 | |
| 引用本文： | J.P.Colinge ,常桂兰.使用选择性退火生长绝缘层上大晶粒硅[J].微电子学,1986(Z1). |
| 作者姓名： | J.P.Colinge 常桂兰 |
| 摘 要： | 选择性退火技术(在有图形的抗反射涂层的下面激光退火)已成功应用于生长很大(20微米×3000微米)的硅单晶。用常规光刻工艺控制晶粒的边界位置,所获得的晶粒是近乎完美的矩形。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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