| 退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响 |
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| 引用本文： | 吉慧芳,董永芬,李隆玉,姜卫粉,吕运朋,李新建. 退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响[J]. 传感技术学报, 2008, 21(7) |
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| 作者姓名： | 吉慧芳 董永芬 李隆玉 姜卫粉 吕运朋 李新建 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学测控技术系,郑州,450003;郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学测控技术系,郑州,450003 |
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| 摘 要： | 基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化。结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差。
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| 关 键 词： | 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) 湿敏 退火 温度 |
Impact of Anneal on Capacitive Humidity Sensitive Properties ofSilicon Nanoporous Pillar Array |
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| JI Hui-fang,DONG Yong-fen,LI Long-yu,JIANG Wei-fen,LV Yun-peng,LI Xin-jian. Impact of Anneal on Capacitive Humidity Sensitive Properties ofSilicon Nanoporous Pillar Array[J]. Journal of Transduction Technology, 2008, 21(7) |
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| Authors: | JI Hui-fang DONG Yong-fen LI Long-yu JIANG Wei-fen LV Yun-peng LI Xin-jian |
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| Affiliation: | 1. Department of Physics and Laboratory of Materials Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China; 2. Department of Measurement and Control Technology, Zhengzhou University, Zhengzhou 450003,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon nanoporous pillar array(Si-NPA) humidity sensitive anneal temperature |
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