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Stacking-fault formation and propagation in 4H-SiC PiN diodes
Authors:R. E. Stahlbush  M. Fatemi  J. B. Fedison  S. D. Arthur  L. B. Rowland  S. Wang
Affiliation:(1) Naval Research Laboratory, 20375 Washington, D.C.;(2) General Electric Corporate Research and Development Center, 12309 Niskayun, NY;(3) Sterling Semiconductor, 06810 Danbury, CT
Abstract:
Keywords:
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