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| Temperature dependence of the photoluminescence properties and band gap energy of InxGa1−xAs/GaAs quantum wells | |
| 摘 要： | |
| 收稿时间： | 1999-12-13 |
| 修稿时间： | 2000-06-29 |
| 本文献已被 SpringerLink 等数据库收录！ | |
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