| 用于SRAM的低功耗位线结构 |
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| 引用本文： | 高宁,施亮,侯卫华,于宗光. 用于SRAM的低功耗位线结构[J]. 半导体技术, 2006, 31(12): 935-937,950 |
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| 作者姓名： | 高宁 施亮 侯卫华 于宗光 |
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| 作者单位： | 1. 江南大学,信息工程学院,江苏,无锡,214036
2. 江南大学,信息工程学院,江苏,无锡,214036;中国电子科技集团58研究所,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构,通过两种途径来实现低位线电压.在写操作时,利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动;在读写操作时,改进预充结构来使位线电压保持较低.仿真表明,该结构使功耗大大节省.
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| 关 键 词： | 静态存储器 位线 低功耗 SRAM 低功耗 线结构 仿真 改进 读写操作 充电电压 位线 驱动结构 单边 利用 线电压 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）12-0935-03 |
| 收稿时间： | 2006-05-19 |
| 修稿时间： | 2006-05-19 |
Low-Power Bitline Architecture in SRAM |
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| GAO Ning,SHI Liang,HOU Wei-hua,YU Zong-guang. Low-Power Bitline Architecture in SRAM[J]. Semiconductor Technology, 2006, 31(12): 935-937,950 |
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| Authors: | GAO Ning SHI Liang HOU Wei-hua YU Zong-guang |
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| Abstract: | A low-power bitline architecture in SRAM was proposed, the low bitline voltage was realized by incorporating two techniques. A one-side driving scheme was used for the write operation to prevent the excessive full-swing charging on the bitlines. The precharging scheme was removed for both read and write operations, making the bitlines at low voltages. Simulation showed that such architecture could lead a significant power reduction. |
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| Keywords: | SRAM bitline low-power |
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