| 直拉重掺硼硅单晶的研究进展 |
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| 引用本文： | 李春龙,沈益军,杨德仁,马向阳,余学功,阙端麟.直拉重掺硼硅单晶的研究进展[J].稀有金属,2003,27(3):357-360. |
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| 作者姓名： | 李春龙 沈益军 杨德仁 马向阳 余学功 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展。主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质，利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术，重掺B硅单晶的机械性能，重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀，以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系。在此基础上，探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题。
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| 关 键 词： | 直拉硅 重掺硼 氧 缩颈 |
| 文章编号： | 0258-7076(2003)03-0357-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月1日 |
Heavily Boron Doped Czochralski Silicon |
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| Abstract: | The recent development in heavily B doped CZ silocon was reviewed. The dislocation free crystal growth based on heavily B doped seeds without Dash necking was introduced. The mechanical properties, the oxygen and the void defects of heavily B doped Czochralski silicon were also discussed. Furthermore, some issues to be investigated for heavily B doped silicon were proposed. |
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| Keywords: | czochralski silicon heavily B doped oxygen dash necking |
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