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半导体可饱和吸收镜调Q的Yb:LSO激光器
引用本文:宋晏蓉,胡江海,周劲峰,赵广军,严成锋,苏良碧,徐军,郭凯,张志刚.半导体可饱和吸收镜调Q的Yb:LSO激光器[J].中国激光,2006,33(10):297-1300.
作者姓名:宋晏蓉  胡江海  周劲峰  赵广军  严成锋  苏良碧  徐军  郭凯  张志刚
作者单位:1. 北京工业大学应用数理学院,北京,100022
2. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
3. 北京工业大学应用数理学院,北京,100022;北京大学量子电子学中心,北京,100871
基金项目:北京市优秀人才培养基金;北京市教委科研项目;国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:报道了一个激光二极管(LD)抽运多波长连续输出的激光器和一个被动调Q的固体激光器。该激光器的增益材料是一种新型掺Yb^3+的晶体Yb^3+:Lu2SiO5(Yb^1LSO)。当吸收的抽运功率为2.57W时,连续输出的最大功率为490mW,斜率效率为22.2%,光-光转换效率为14.2%,激光阈值为299mW,输出激光波长为1084nm。多波长输出时,波长调谐范围为1034~1085nm。利用InGaAs可饱和吸收镜实现调Q输出时,斜率效率为3.0%,激光波长为1058nm。脉冲重复频率为25~39kHz,重复频率随着抽运功率的增加而增加。

关 键 词:激光器  半导体可饱和吸收镜调Q  激光材料  半导体抽运
文章编号:0258-7025(2006)10-1297-04
收稿时间:2006-03-13
修稿时间:2006-05-08

Laser Diode-Pumped Q-Switched Yb: LSO laser with a Semiconductor Saturable Absorber Mirror
SONG Yan-rong,HU Jiang-hai,ZHOU Jin-feng,ZHAO Guang-jun,YAN Cheng-feng,SU Liang-bi,XU Jun,GUO Kai,ZHANG Zhi-gang.Laser Diode-Pumped Q-Switched Yb: LSO laser with a Semiconductor Saturable Absorber Mirror[J].Chinese Journal of Lasers,2006,33(10):297-1300.
Authors:SONG Yan-rong  HU Jiang-hai  ZHOU Jin-feng  ZHAO Guang-jun  YAN Cheng-feng  SU Liang-bi  XU Jun  GUO Kai  ZHANG Zhi-gang
Affiliation:1.College of Applied Science, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China; 2. Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China; 3. Institute of Quantum Electronics, Peking University, Beijing 100871, China
Abstract:
Keywords:lasers  semiconductor saturable absorber mirror Q-switched  laser materials  laser diode-pumped
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