| 国外红外光电探测器发展动态 |
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| 引用本文： | 刘武,叶振华.国外红外光电探测器发展动态[J].激光与红外,2011,41(4):365-370. |
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| 作者姓名： | 刘武 叶振华 |
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| 作者单位： | 1. 北京系统工程研究所,北京,100080
2. 中科院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 主要综述三代红外光电探测器的材料体系与研究现状，以及分析红外光电探测器的未来发展趋势。首先，简述红外光电探测器及其三个发展阶段。然后，论述适于三代红外光电探测器发展的碲镉汞（HgCdTe）、量子阱光探测（QWIPs,quantum-well photodetectors）、二类应变超晶格（SLS,type-Ⅱ strained-layer superlattices）和量子点红外光探测（QDIPs,quantum dot IR photodetectors）四个材料体系，以及介绍它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后，分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。
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| 关 键 词： | 三代 红外 光电探测器 双色/多色 |
Status and trends of foreign infrared photodetectors |
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| LIU Wu,YE Zhen-hua.Status and trends of foreign infrared photodetectors[J].Laser & Infrared,2011,41(4):365-370. |
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| Authors: | LIU Wu YE Zhen-hua |
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| Affiliation: | Beijing Institute of system Engineering,Beijing 100080,China;Shanghai Institute of Technical Physics,CAS,Shanghai 200083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | third-generation infrared photodetector two-color/multi-color |
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