| 多孔硅表面冷电子发射的研究 |
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| 引用本文： | 刘志钢 任立儒. 多孔硅表面冷电子发射的研究[J]. 半导体杂志, 1999, 24(4): 18-22 |
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| 作者姓名： | 刘志钢 任立儒 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所!天津，300071，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所!天津，300071，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所!天津，300071，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所!天津，300071 |
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| 摘 要： | 本文研究了多孔硅二极管表面发射电子的特性。ＰＳ二极管由薄金膜、ＰＳ层、ｎ型Ｓｉ衬底和欧姆接触铝背电极组成。在真空中，当在金属电极和铝背电极间加适当高的正电压且在收集极板和金电极间存在高外电场时，伴随着可见光，电子均匀地穿过金膜出来。电子发射的机理基于ＰＳ层外表面附近的强场效应。
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| 关 键 词： | 多孔硅 冷电子 发射 二极管 |
Study on Surface emitting Cold Electrons Based on Porous Silicon Diodes |
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| LIU Zhi gang REN Li ru ZHAO Ying SUN Zhong lin. Study on Surface emitting Cold Electrons Based on Porous Silicon Diodes[J]. , 1999, 24(4): 18-22 |
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| Authors: | LIU Zhi gang REN Li ru ZHAO Ying SUN Zhong lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon cold electron emitting |
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