用扫描电子显微镜透视半导体和集成电路 |
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引用本文: | 梁竹关,李亚文,肖玲,王建,周开邻,李萍,徐晓华,Pay Э И,胡问国. 用扫描电子显微镜透视半导体和集成电路[J]. 电子显微学报, 2001, 20(4): 404-405 |
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作者姓名: | 梁竹关 李亚文 肖玲 王建 周开邻 李萍 徐晓华 Pay Э И 胡问国 |
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作者单位: | 1. 云南大学物理系, 2. 昆明物理研究所, 3. 俄罗斯 |
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基金项目: | 国家科学技术部资助项目,国家自然科学基金委资助项目 |
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摘 要: | 用普通扫描电子显微镜 (SEM)只能观测样品的表面形貌 ,不能观测到隐藏在表面绝缘层下面的半导体材料和集成电路的微结构。在普通的SEM中安装了我们研制成功的透表面检测仪后就可以突破普通的SEM只能观测样品表面形貌的限制 ,透过表面绝缘层透视到下面的半导体材料的缺陷和集成电路的微结构。我们在本文中首次公布用改装的SEM观测到该绝缘层下面的半导体材料缺陷的微结构 (图 1 )。在研制和生产多层结构的集成电路时 ,在两层电路之间要制作一层SiO2 来作绝缘层 ,在制作好的集成电路表面需要制作一层SiO2 和Si3N4 组成的…
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关 键 词: | 扫描电镜 半导体材料 集成电路 微结构分析 透视 缺陷 透表显微内窥法 |
Clairvoyance of semiconductors and IC by the scanning electron microscope |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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