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化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究
引用本文:程璇,郑玉峰,林昌健,薛茹.化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究[J].材料科学与工程学报,1999(3).
作者姓名:程璇  郑玉峰  林昌健  薛茹
作者单位:厦门大学化学系!福建厦门361005(程璇,郑玉峰),厦门大学材料科学系固体表面物理化学国家重点实验室!建厦门361005(林昌健),厦门大学分析测试中心!福建厦门361005(薛茹)
基金项目:固体表面物理化学国家重点实验室开放课题;国家教委留学回国人员科研启动基金
摘    要:本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅,然后通过扫描电镜(SEM)技术,对多孔硅的表面形貌进行了表征,并分析了多孔硅表面微结构的形成过程

关 键 词:多孔硅  化学刻蚀  表面形貌  微观结构

Morphological Studies of Porous Silicon Surface Form ed By Cehm ically Etching
C H E N G Xuan,Z H E N G Yu-feng,L I N Chang-jian,X U E Re.Morphological Studies of Porous Silicon Surface Form ed By Cehm ically Etching[J].Journal of Materials Science and Engineering,1999(3).
Authors:C H E N G Xuan  Z H E N G Yu-feng  L I N Chang-jian  X U E Re
Affiliation:C H E N G Xuan1,Z H E N G Yu-feng1,L I N Chang-jian2,X U E Re3
Abstract:M orphological studies of porous silicon surfaces,form ed by chem ically etching,w ere car ried out. Scanning electron m icroscopy ( S E M ) w as used to characterize surface features of porous silicon. The form ing process of porous silicon m icrostructures is discussed based on S E M results.
Keywords:porous silicon  chem ical etching  surface m orphology  m icrostructure  
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