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四极溅射装置及其在制造钽、二氧化硅和氧化铝薄膜方面的应用
作者姓名:织田善次郎  牟田弘树  麻莳立男  沟延孝夫  张志平
作者单位:辽宁真空技术研究所
摘    要:本文阐述了四极溅射装置的基本结构、放电特性和溅射速率。同时也报导了该装置淀积的钽、二氧化硅和氧化铝膜的电气和物理化学特性的实验结果。溅射装置的电极是由一个热灯丝阴极、一个阳极、一个靶极和一个能在低于1× 10-3乇氩气压强下起燃放电的点火电极组成的。磁场的作用在于约束靶和对面基片之间的等离子区。溅射在玻璃基片上的钽膜是氩气压强PA和靶电压VT的函数。用射频溅射法分别把熔融石英和陶瓷氧化铝片,淀积形成二氧化硅膜和氧化铝膜,并且,把它们之间的红外线吸收光谱和介电常数作了比较,对二氧化硅膜电容与频率的相依关系也进…

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