| CCD纵向抗晕结构研究 |
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| 引用本文： | 武利翻,刘昌林,陈红兵,汪建平,熊平.CCD纵向抗晕结构研究[J].半导体光电,2007,28(1):36-39. |
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| 作者姓名： | 武利翻 刘昌林 陈红兵 汪建平 熊平 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;西安邮电学院,计算机科学与技术系,陕西,西安,710121;重庆光电技术研究所,重庆,400060;西安邮电学院,计算机科学与技术系,陕西,西安,710121 |
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| 摘 要： | 建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构.
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| 关 键 词： | CCD 光晕 纵向抗晕 器件仿真 |
| 文章编号： | 1001-5868(2007)01-0036-04 |
| 修稿时间： | 2006-06-30 |
A CCD Image Sensors with Vertical Anti-blooming Strctrue |
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| WU Li-fan,LIU Chang-lin,CHEN Hong-bing,WANG Jian-ping,XIONG Ping.A CCD Image Sensors with Vertical Anti-blooming Strctrue[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(1):36-39. |
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| Authors: | WU Li-fan LIU Chang-lin CHEN Hong-bing WANG Jian-ping XIONG Ping |
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| Abstract: | MEDICI is a powerful device simulation program that can be used to simulate the behaviors of MOS and semiconductor devices.A simulation grid is created by MEDICI.The substrate voltage,the 1PW impurity concentration,N buried-channel impurity concentration and P impurity concentration of TG(transfer Gate) are analyzed.Finally,An optimum strcture is obtained. |
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| Keywords: | CCD blooming vertical anti-blooming device simulation |
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