|
|||||
|
|
| 测量InP和Ga_(0.47)In_(0.53)As的内价带吸收 | |
| 作者姓名： | C.H.亨利 屈积建 |
| 作者单位： | 贝尔实验室 |
| 摘 要： | 内价带吸收(IBA)对确定长波长半导体激光器的微分量子效率是重要的,而对确定其阈值电流就不那么重要。在此,报道了洲量Ga_(·47)In_(·53)As和InP的IBA的频谱特性及IBA对温度的依赖性。测试材料两边是晶格匹配于InP的Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)组份。用半绝缘掺Fe衬底上生长的～15μm厚外延层,就能进行Ga_(·47)In_(·53)As的IBA测量。通过霍尔测景确定每种样品的载流子密度。从远红外到能隙所记录的吸收光谱表明,在1～2μm区间主要吸收是空穴从浓空穴带 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |