CdSexTe1-x薄膜的制备及其XPS表征 |
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引用本文: | 刘永生,李蓉萍,邹凯.CdSexTe1-x薄膜的制备及其XPS表征[J].材料科学与工程学报,2014(1):47-51. |
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作者姓名: | 刘永生 李蓉萍 邹凯 |
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作者单位: | 内蒙古大学物理科学与技术学院;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室; |
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基金项目: | 内蒙古教育厅资助项目(NJ09006) |
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摘 要: | 本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSex Te1-x三元化合物薄膜。利用XRD、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的结构、光学性能、组成成分等进行了表征。XRD测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSex Te1-x三元化合物,并沿(111)晶面择优生长,晶格常数随x值增大而减小;透射光谱表明薄膜的吸收限随x值增大先向长波方向移动,x=0.64时达到最大值,然后向短波方向移动;XPS分析表明,薄膜的主要成分为CdSex Te1-x三元化合物,随着x值增大,Se、Te、Cd三种元素的特征峰均向高结合能方向偏移。
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关 键 词: | 真空蒸发 CdSexTe1-x薄膜 XRD XPS表征 |
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