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CdSexTe1-x薄膜的制备及其XPS表征
引用本文:刘永生,李蓉萍,邹凯.CdSexTe1-x薄膜的制备及其XPS表征[J].材料科学与工程学报,2014(1):47-51.
作者姓名:刘永生  李蓉萍  邹凯
作者单位:内蒙古大学物理科学与技术学院;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室;
基金项目:内蒙古教育厅资助项目(NJ09006)
摘    要:本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSex Te1-x三元化合物薄膜。利用XRD、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的结构、光学性能、组成成分等进行了表征。XRD测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSex Te1-x三元化合物,并沿(111)晶面择优生长,晶格常数随x值增大而减小;透射光谱表明薄膜的吸收限随x值增大先向长波方向移动,x=0.64时达到最大值,然后向短波方向移动;XPS分析表明,薄膜的主要成分为CdSex Te1-x三元化合物,随着x值增大,Se、Te、Cd三种元素的特征峰均向高结合能方向偏移。

关 键 词:真空蒸发  CdSexTe1-x薄膜  XRD  XPS表征
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