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| 多层MEMS结构的Stoney延伸公式 | |
| 作者姓名： | 董健 蒋恒 孙笠 |
| 作者单位： | 浙江工业大学浙江省特种装备制造与先进加工技术教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助项目(Y1100707) |
| 摘 要： | 利用薄膜—基底结构的曲率来表征薄膜残余应力的方法正在被广泛应用,这种表征方法的理论基础是Stoney公式.然而Stoney公式所采取的假设导致它在应用范围上存在着较大的局限性.提出了一类Stoney延伸公式,利用有限元仿真以及解析计算比较分析证明,这类Stoney延伸公式不仅在一定范围内受薄膜—基底厚度比和杨氏模量比的影响比较小,而且在应用到梯度残余应力下多层MEMS结构时依然能保持较好的准确性. |
| 关 键 词： | 梯度残余应力 多层结构 微机电系统 Stoney延伸公式 |
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