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| 一种1 200 V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计 | |
| 作者姓名： | 高明阳 顾钊源 杨明超 谭在超 韩传余 刘卫华 耿莉 郝跃 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学微电子学院;3. 西安电子科技大学微电子学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61771384)； |
| 摘 要： | 为了实现能源的高效利用，通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点，但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用，在不过多增大导通电阻的情况下，减小栅漏电容以降低器件在高频应用中的动态功耗是本文的设计重点.提出了一种带有沟槽型源端和N型包裹区的碳化硅沟槽... |
| 关 键 词： | 碳化硅 TSN结构 特征导通电阻 特征栅漏电容 |