| 低光照和抗晕CCD的设计和制作 |
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| 引用本文： | 张坤. 低光照和抗晕CCD的设计和制作[J]. 半导体光电, 2003, 24(2): 91-93,96 |
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| 作者姓名： | 张坤 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 针对帧转移可见光CCD低光照响应、抗电晕能力和动态范围，较详细讨论了CCD光响应灵敏度、动态范围和抗电晕的设计与计算。设计的具有抗晕功能CCD，采用2μm工艺制作，达到了设计技术指标要求，满足了工程应用需求。
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| 关 键 词： | CCD 抗电晕能力 低光照响应 测试 制造工艺 |
| 文章编号： | 1001-5868(2003)02-0091-03 |
Design and Fabrication of Low Visible Light and Antiblooming CCD |
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| ZHANG Kun. Design and Fabrication of Low Visible Light and Antiblooming CCD[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2003, 24(2): 91-93,96 |
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| Authors: | ZHANG Kun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CCD low visible light antiblooming |
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