| GaN的低压MOCVD生长模型 |
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| 引用本文： | 杨红伟,闫发旺,章麒麟. GaN的低压MOCVD生长模型[J]. 微纳电子技术, 2001, 38(6): 52-54 |
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| 作者姓名： | 杨红伟 闫发旺 章麒麟 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 用停滞边界层理论分析了低压 MOCVD外延 Ga N的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件 ,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的 Ga N外延层
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| 关 键 词： | GaN 低压MOCVD 停滞边界层理论 流场 温场 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)06-0052-03 |
| 修稿时间： | 2001-07-13 |
GaN film grown by low-pressure MOCVD |
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| YANG Hong wei,YAN Fa wang,ZHANG Qi lin. GaN film grown by low-pressure MOCVD[J]. Micronanoelectronic Technology, 2001, 38(6): 52-54 |
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| Authors: | YANG Hong wei YAN Fa wang ZHANG Qi lin |
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| Abstract: | It analyzes the growth model of GaN film grown by low pressure metal organic vapor deposit(LP MOCVD)with self designed reactor using static boundary layer theory.By optimizing the reactor shape and the growth conditions,the uniform thickness and good quality GaN epilayer are obtained. |
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| Keywords: | GaN LP MOCVD Static boundary layer theory flux field temperature field |
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