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| 940nm列阵窗口半导体激光器 | |
| 引用本文： | 李辉,曲轶,等.940nm列阵窗口半导体激光器[J].光电子．激光,2001,12(8):825-826. |
| 作者姓名： | 李辉 曲轶 |
| 作者单位： | 1. 长春光学精密机械学院 2. 长春光学精密机械学院,吉林大学电子工程系, 3. 长春光学精密机械学院;吉林大学电子工程系, |
| 摘 要： | 本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器，准连续（500μs，100Hz）输出功率达到80W（室温），峰值波长为939－941nm。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 列阵窗口 半导体激光器 |
| 文章编号： | 1005-0086(2001)08-0825-02 |
| 修稿时间： | 2001年1月18日 |
940 nm Array Window Semiconductor Lasers |
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| LI Hui,LI Jun,QU Yi,BO Bao xue,ZHANG Xing de.940 nm Array Window Semiconductor Lasers[J].Journal of Optoelectronics·laser,2001,12(8):825-826. | |
| Authors: | LI Hui LI Jun QU Yi BO Bao xue ZHANG Xing de |
| Affiliation: | LI Hui 1,LI Jun 1,QU Yi 1,2,BO Bao xue 1,2,ZHANG Xing de 1 |
| Abstract: | |
| Keywords: | MBE array window semiconductor lasers |
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