高致密高导电氧化锡锑陶瓷的制备

以氧化锡锑(Sb掺杂含量为20at%)和SnO2纳米复合粉体为原料,采用放电等离子体烧结法(SPS)和退火工艺处理后制备了高致密高导电的氧化锡锑(ATO)陶瓷。研究了SPS烧结工艺和后期退火工艺对ATO陶瓷靶材结构与性能的影响。结果表明:采用SPS烧结技术,当升温速率为100℃/min、压力为40MPa时,在900～1000℃烧结并保温3min时可获得致密度大于94%的ATO陶瓷,但由于烧结环境处于缺氧条件导致其电阻率较高。而在空气气氛下经过800℃的后期退火处理后电阻率可低至6.28×10-3Ω·cm。