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KDP晶体生长工艺研究
引用本文:于杰,余娜,王杜娟,卢雯婷. KDP晶体生长工艺研究[J]. 昆明理工大学学报(自然科学版), 2008, 33(3): 20-23
作者姓名:于杰  余娜  王杜娟  卢雯婷
作者单位:昆明理工大学材料与冶金工程学院,云南昆明,650093;昆明理工大学材料与冶金工程学院,云南昆明,650093;昆明理工大学材料与冶金工程学院,云南昆明,650093;昆明理工大学材料与冶金工程学院,云南昆明,650093
基金项目:KDP晶体生长与人工宝石的生长工艺研究项目
摘    要:利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.

关 键 词:KDP晶体  晶体生长  籽晶  非线性光学晶体

Research on Procedure of KDP Crystal Growth
YU Jie,YU Na,WANG Du-juan,LU Wen-ting. Research on Procedure of KDP Crystal Growth[J]. Journal of Kunming University of Science and Technology(Natural Science Edition), 2008, 33(3): 20-23
Authors:YU Jie  YU Na  WANG Du-juan  LU Wen-ting
Abstract:
Keywords:KDP crystal  crystal growth  seed  non-linear optical crystal
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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