| GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究 |
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| 引用本文： | 林亮,陈志忠,童玉珍,于彤军,秦志新,张国义. GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究[J]. 半导体光电, 2007, 28(6): 766-768,777 |
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| 作者姓名： | 林亮 陈志忠 童玉珍 于彤军 秦志新 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学,物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学,物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学,物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学,物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学,物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学,物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871 |
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| 摘 要： | 测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线.结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区.扩散电流区的温度系数和肖克莱方程导出的数值最接近,可用来测量结温.老化过程中反向漏电流增加,是因为有了更多被激活的深能级;随着老化正向漏电增加的速度变慢,是由于位错逐渐被汇集的金属填满.
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| 关 键 词： | GaN 大功率LED 倒装焊 理想因子 发光效率 老化 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）06-0766-03 |
| 收稿时间： | 2007-03-12 |
| 修稿时间： | 2007-03-12 |
Research on the Current-voltage Characteristics of GaN-based High Power Flip-chip Blue LED |
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| LIN Liang,CHEN Zhi-zhong,TONG Yu-zhen,YU Tong-jun,QIN Zhi-xin,ZHANG Guo-yi. Research on the Current-voltage Characteristics of GaN-based High Power Flip-chip Blue LED[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2007, 28(6): 766-768,777 |
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| Authors: | LIN Liang CHEN Zhi-zhong TONG Yu-zhen YU Tong-jun QIN Zhi-xin ZHANG Guo-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN high power LED flip-chip ideal factor emission efficiency aging |
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