| 低速高电荷态重离子在GaN单晶中引起的辐照损伤研究 |
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| 引用本文： | 杨义涛,张崇宏,孙友梅,姚存峰,赵志明.低速高电荷态重离子在GaN单晶中引起的辐照损伤研究[J].核技术,2007,30(4):318-322. |
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| 作者姓名： | 杨义涛 张崇宏 孙友梅 姚存峰 赵志明 |
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| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所，中国科学院研究生院北京100080，中国科学院近代物理研究所，中国科学院近代物理研究所，中国科学院近代物理研究所，中国科学院研究生院北京100080，中国科学院近代物理研究所 兰州730000，兰州730000，兰州730000，兰州730000，兰州730000 |
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| 基金项目： | 中国科学院“西部之光”人才培养计划、近代物理研究所所长基金、北京大学重离子物理重点实验室资助的项目.致谢 作者感谢中国科学院物理研究所陈弘研究员提供了GaN样品材料. |
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| 摘 要： | 利用Rutherford沟道背散射分析研究了低速高电荷态重离子(Xe26 )在氮化镓(GaN)晶体中辐照损伤的产生对剂量的依赖关系,比较了垂直照射和60°倾斜照射的差异.基于"库仑爆炸"模型对结果进行了解释.
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| 关 键 词： | 低速高电荷重离子 氮化镓 辐照损伤 |
| 修稿时间： | 2007-01-12 |
A study of damage accumulation in GaN single crystals induced by slow highly-charged heavy ions |
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| YANG Yitao,ZHANG Chonghong,SUN Youmei,YAO Cunfeng,ZHAO Zhiming.A study of damage accumulation in GaN single crystals induced by slow highly-charged heavy ions[J].Nuclear Techniques,2007,30(4):318-322. |
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| Authors: | YANG Yitao ZHANG Chonghong SUN Youmei YAO Cunfeng ZHAO Zhiming |
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| Affiliation: | 1.Institute of Mode Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, 730000, China;2.Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Slow highly-charged ions(SHCI) Gallium nitride(GaN) Irradiation damage |
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