纳米CMOS低噪声放大器的研究 |
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引用本文: | 王国波,张流强,夏华灿. 纳米CMOS低噪声放大器的研究[J]. 纳米科技, 2008, 5(2): 23-26 |
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作者姓名: | 王国波 张流强 夏华灿 |
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作者单位: | 重庆大学光电工程学院,重庆,400044;重庆大学光电工程学院,重庆,400044;重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400044 |
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摘 要: | 介绍了纳米CMOS器件及其新技术,同时利用安捷伦公司的ADS软件,基于台积电0.18μm的RFCMOS工艺,设计了中心频率为5.2GHz的纳米CMOS低噪声放大器,达到了较好的性能。
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关 键 词: | 纳米CMOS 射频集成电路 共源共栅 低噪声放大器 |
Research of Nanoscale CMOS Low Noise Amplifier |
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Affiliation: | WANG Guo-bo, ZHANG Liu-qiang, XIA Hua-can(1.Opto-electronic College of Chongqing University, Chongqing 400044, China) (2.Opto-electronic Technology and Systems of Chongqing University, Chongqing 400044, China) |
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Abstract: | In this paper, nanoscale CMOS devices and technologies are analysised. Based on the TSMC 0.18μm RF CMOS process, a 5.2GHz low noise amplifier was designed use of agilent's software ADS. |
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Keywords: | nanoscale CMOS RFIC cascode low-noise amplifier |
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