硅片纳秒激光附加电流打孔实验研究 |
| |
引用本文: | 李锦超,张伟,郑宏宇,高军,蒋超.硅片纳秒激光附加电流打孔实验研究[J].现代制造工程,2023(9):111-116+136. |
| |
作者姓名: | 李锦超 张伟 郑宏宇 高军 蒋超 |
| |
作者单位: | 山东理工大学机械工程学院 |
| |
基金项目: | 国家重点研发计划项目(2022YFE0199100);;山东省自然科学基金项目(ZR202112020428,ZR2020ME164); |
| |
摘 要: | 针对硅片具有反射率高、吸收率低等缺点,为了提高纳秒激光(波长为355 nm)在硅片上打孔蚀除材料效率,设计附加电流场装置,建立单脉冲烧蚀阈值模型,经过实验计算得到硅片烧蚀阈值为1.885 J/cm2。采用电流场辅助激光环切式进行硅片打孔,分别在激光加工次数和附加电流不同时做实验研究,当激光加工次数较少而附加电流较大时,激光加工的微孔入口孔和出口孔直径均显著增加,锥度减小,蚀除材料效率增大;当激光加工次数较多时,施加电流后由于多脉冲的累积效应,微孔直径变化不明显,这是由于附加电流场导致硅片内自由电子增多,更多的自由电子与激光光子发生碰撞,增加硅片对激光能量的吸收。实验表明,附加电流增加了硅片对波长为355 nm纳秒激光光子的吸收率,提高了硅片蚀除材料效率,也为高效率的纳秒激光加工硅片提供一种新方法。
|
关 键 词: | 硅片激光加工 附加电流 烧蚀阈值 微孔形貌 多脉冲累积效应 |
|
|