| Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究 |
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| 引用本文： | 高英俊,赵妙,黄创高,蓝志强. Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究[J]. 贵金属, 2005, 26(1): 1-5 |
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| 作者姓名： | 高英俊 赵妙 黄创高 蓝志强 |
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| 作者单位： | 1. 广西大学物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004;中国科学院国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016
2. 广西大学物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50061001)，广西科学基金项目(桂科配0135006,桂科自0007020,桂科基0342004-1)，广西“十百千人才工程”项目(2001207)资助。 |
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| 摘 要： | 运用固体经验电子理论(EET)，对Al—Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算。结果表明，沉淀相与基体的界面处能量连续性较差，γ相的表面结合能高于基体的表面结合能，在界面处形成能量势阱。因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子，引起γ相周围Ag原子的贫乏，出现γ相无沉淀带(PFZ)。
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| 关 键 词： | γ相 合金 基体 价电子结构 沉淀相 表面 界面 结合能 原子 经验电子理论 |
| 文章编号： | 1004-0676(2005)01-0001-05 |
| 修稿时间： | 2004-04-05 |
The Microscopic Mechanism Interpret on a Precipitate-free Zones of γ Phase in Al-Ag Alloy |
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| GAO Yingjun,,ZHAO Miao,HUANG Chuanggao,LAN Zhiqiang. The Microscopic Mechanism Interpret on a Precipitate-free Zones of γ Phase in Al-Ag Alloy[J]. Precious Metals, 2005, 26(1): 1-5 |
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| Authors: | GAO Yingjun ZHAO Miao HUANG Chuanggao LAN Zhiqiang |
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| Affiliation: | GAO Yingjun1,2,ZHAO Miao1,HUANG Chuanggao1,LAN Zhiqiang1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Metal materials Valence electron structure EET theory Surface energy PFZ |
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