| 注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应 |
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| 引用本文： | 韩德栋,张国强,余学峰,任迪远. 注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应[J]. 半导体学报, 2001, 22(5): 618-621 |
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| 作者姓名： | 韩德栋 张国强 余学峰 任迪远 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐830011 |
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| 摘 要： | 通过对短沟 NMOSFET的沟道热载流子效应研究 ,发现在短沟 NMOSFET栅介质中引入 F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移 .分析讨论了 F抑制沟道热载流子损伤的机理 . Si— F键释放了 Si/Si O2 界面应力 ,并部分替换了 Si— H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因 .
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| 关 键 词： | 注F MOSFET 热载流子 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)05-0618-04 |
| 修稿时间： | 2000-04-12 |
Channel Hot-Carrier Effects in Fluorinated Short-Channel MOSFET |
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| HAN De-dong,ZHANG Guo-qiang,YU Xue-feng and REN Di-yuan[WTBX]. Channel Hot-Carrier Effects in Fluorinated Short-Channel MOSFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(5): 618-621 |
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| Authors: | HAN De-dong ZHANG Guo-qiang YU Xue-feng REN Di-yuan[WTBX] |
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| Affiliation: | HAN De-dong,ZHANG Guo-qiang,YU Xue-feng and REN Di-yuan[WT6BX] |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | incorporating F MOSFET hot carrier |
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