循环饱和AiSi310钢位错组态及与晶粒受载方向的关系

多晶体中的饱和位错结构及其与晶粒受载方向的关系与材料的循环形变特性紧密相关。TEM研究表明,塑性应变幅(ε_p1)控制条件下循环形变至饱和的AiSi310不锈钢(Cr25Ni20)中形成多种位错结构。ε_p1越大,形成的位错结构越复杂;ε_p1较大时形成的位错结构往往包含ε_p1较小时形成的位错组态。ε_p1<1E-3时形成位错偶极子和位错塞积;ε_p1增大但小于6E-3时主要形成位错缠结(图1a),位错脉纹(图1b)和位错墙(图1c);ε_p1更大时还形成位错胞和位错迷宫(图1d)。一个晶粒中经常形成分层的几种位错结构(图1c)。