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| 湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定 | |
| 引用本文： | 王科范,徐彭寿,张伟风,顾玉宗,郑海务. 湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定[J]. 核技术, 2008, 31(4): 255-259 |
| 作者姓名： | 王科范 徐彭寿 张伟风 顾玉宗 郑海务 |
| 作者单位： | 1. 河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,开封,475004;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 2. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 3. 河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,开封,475004 |
| 摘 要： | 用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜.原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均非常平整.同步辐射光电子能谱(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的测试结果表明,氧化膜的主要化学成份为SiO2,其平均厚度为0.24 nm.衬底温度为500℃时,在此氧化膜表面制备出面密度达9.5×1010 cm-2,尺寸集中为(25±5)nn的Ge量子点.初步的生长实验表明,湿化学法制备的氧化硅超薄膜作为外延衬底,可减小Ge量子点的尺寸,提高其面密度. |
| 关 键 词： | 氧化硅薄膜 同步辐射光电子能谱(SRPES) 湿化学法 Ge量子点 |
| 修稿时间： | 2007-11-02 |
Wet-chemical growth of an ultra-thin silicon oxide film and its composition and thickness measured by SRPES |
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| WANG Kefan,XU Pengshou,ZHANG Weifeng,GU Yuzong,ZHENG Haiwu. Wet-chemical growth of an ultra-thin silicon oxide film and its composition and thickness measured by SRPES[J]. Nuclear Techniques, 2008, 31(4): 255-259 | |
| Authors: | WANG Kefan XU Pengshou ZHANG Weifeng GU Yuzong ZHENG Haiwu |
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