HFE超低温度系数的硅双极晶体管 |
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作者姓名: | 郑茳 吴金 |
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作者单位: | 东南大学微电子中心 |
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摘 要: | 随着高可靠电子技术的发展,要求硅双极器件的电流增益HFE具有很低的正温度系数,发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正温度系数,结合发射区轻掺杂技术,我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构,获得了电性能优异的HFE超低温度系数的硅双极器件,HFE的125℃高温上升率和-55℃低温下降率小于20%,有些甚至小于10
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关 键 词: | 硅 双极晶体管 温度系数 低温 |
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