| AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究 |
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| 引用本文： | 赵祖静张怀武唐晓莉. AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究[J]. 压电与声光, 2016, 38(6): 920-922 |
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| 作者姓名： | 赵祖静张怀武唐晓莉 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（50972023） |
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| 摘 要： | 利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm~2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm~2。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 镍锌铁氧体基片 AlN薄膜缓冲层 TaN薄膜电阻器 功率密度 |
Influence of AlN Thin Film on Power of TaN Thin Film Resistors |
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| ZHAO ZujingZHANG HuaiwuTANG Xiaoli. Influence of AlN Thin Film on Power of TaN Thin Film Resistors[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2016, 38(6): 920-922 |
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| Authors: | ZHAO ZujingZHANG HuaiwuTANG Xiaoli |
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| Affiliation: | State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering Ni-Zn ferrite substrate AlN thin film buffer layer TaN thin film resistors power density |
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