| 砂轮粒径对300 mm Si片双面磨削影响的研究 |
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| 引用本文： | 葛钟,闫志瑞,库黎明,陈海滨,冯泉林,张国栋,盛方毓,索思卓.砂轮粒径对300 mm Si片双面磨削影响的研究[J].半导体技术,2008,33(4):289-291. |
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| 作者姓名： | 葛钟 闫志瑞 库黎明 陈海滨 冯泉林 张国栋 盛方毓 索思卓 |
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| 作者单位： | 有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在直径300mmSi片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度.通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕和局部平整度,并分别进行了比较.结果表明,选择粒度更细的#3000砂轮能够有效地弱化Si片表面的磨削印痕,同时改善边缘局部平整度差的问题,从而提高Si磨削片表面的局部平整度.
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| 关 键 词： | 硅片 双面磨削 磨削印痕 局部平整度 |
| 文章编号： | 1003-353X(2008)04-0289-03 |
| 修稿时间： | 2007年10月10 |
Effect of the Grain Size of Grinding Wheel on 300 mm Si Wafer Grinding |
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| Ge Zhong,Yan Zhirui,Ku Liming,Chen Haibin,Feng Quanlin,Zhang Guodong,Sheng Fangyu,Suo Sizhuo.Effect of the Grain Size of Grinding Wheel on 300 mm Si Wafer Grinding[J].Semiconductor Technology,2008,33(4):289-291. |
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| Authors: | Ge Zhong Yan Zhirui Ku Liming Chen Haibin Feng Quanlin Zhang Guodong Sheng Fangyu Suo Sizhuo |
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| Affiliation: | Ge Zhong,Yan Zhirui,Ku Liming,Chen Haibin,Feng Quanlin,Zhang Guodong,Sheng Fangyu,Suo Sizhuo(GRINM Semiconductor Materials Co.Ltd.,Beijing 100088,China) |
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| Abstract: | Using double-side grinding technology in 300 mm Si wafer manufacturing process,the Si wafer can obtain high accuracy surface parameters,and generate obvious grinding marks,which can affect the surface flatness.Comparing the experiments between #2000 and #3000 wheels,the surface morphology,grinding marks and SFQR(site front least square range)were obtained.The results show that the experiments,using the #3000 wheels,can fine the grinding marks of Si wafer surface,and simultaneously reduce the SFQR on the edg... |
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| Keywords: | Si wafer double-side grinding grinding marks SFQR |
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