在半绝缘InP衬底上制作用于单片集成的InGaAs PIN光电二极管 |
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引用本文: | 沈家树.在半绝缘InP衬底上制作用于单片集成的InGaAs PIN光电二极管[J].半导体光电,1985(1). |
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作者姓名: | 沈家树 |
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摘 要: | 用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的InGaAs PIN光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10~(-6)A/cm~2。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值。在-5V工作电压下测得光电二极管的外量子效率在1.3μm波长处大于90%。在1.5μm波长处的外量子效率大于83%,这些器件的上升时间小于35PS,半峰值处全宽(FWHM)小于45PS。
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