| 采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC |
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| 引用本文： | 刘洪丽,李树杰,张听,陈志军. 采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(9) |
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| 作者姓名： | 刘洪丽 李树杰 张听 陈志军 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学 北京100083(刘洪丽，李树杰，张听)，陕西华兴航空机轮刹车系统有限责任公司第46研究所 陕西兴平713106(陈志军) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50271003)，中国航空基础科学基金资助项目(03H51024) |
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| 摘 要： | 采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度。当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm~3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。
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| 关 键 词： | 陶瓷连接 SiC/Si_3N_4陶瓷先驱体 聚硅氮烷 反应烧结碳化硅(RBSiC) |
Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si_3N_4 Preceramic Polymer |
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| Liu Hongli,Li Shujie,Zhang Ting,Chen Zhijun. Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si_3N_4 Preceramic Polymer[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(9) |
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| Authors: | Liu Hongli Li Shujie Zhang Ting Chen Zhijun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ceramic joining SiC/Si3N4preceramic polymer polysilazane reaction-bonded silicon carbide (RBSiC) |
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