| 扫描Kelvin探针研究缺陷涂层的膜下腐蚀电化学行为 |
| |
| 作者姓名： | 李迎超 高瑾 李晓刚 董超芳 肖葵 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 科技部国家科技基础条件平台建设资助项目 |
| |
| 摘 要： | 应用扫描Kelvin探针原位研究盐雾和干湿周浸环境中缺陷涂层膜下的腐蚀行为.结果显示:在两种腐蚀环境中,缺陷涂层均分为缺陷、阴极剥离及完好涂层区域;Kelvin电位的分布相同,缺陷处最高,完整涂层处最低.Kelvin电位分布峰的直径随时间的延长而增大,表明剥离区域扩大.干湿周浸环境中,Kelvin电位的最大值Vmax随时间变化不明显,Vmin在逐渐下降后达到谷值,随后升高;盐雾环境中由于电解质溶液持续扩散和盐雾颗粒极强的腐蚀性,Kelvin电位随时间的变化规律为Vmin在起始阶段达到最小值,随后升高.由Vmax-Vmin的变化规律得出,干湿周浸环境下腐蚀倾向性在试验开始5h后达到最大,而在盐雾环境下,试验开始阶段腐蚀倾向性就达到最大,且要高于干湿周浸环境.
|
| 关 键 词： | 涂层 缺陷 电化学腐蚀 扫描Kelvin探针 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
