| 单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术 |
| |
| 引用本文： | 唐本奇,王燕萍,耿斌,杜凯.单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术[J].电力电子技术,2000,34(4):56-59. |
| |
| 作者姓名： | 唐本奇 王燕萍 耿斌 杜凯 |
| |
| 作者单位： | 1. 西北核技术研究所,西安,710024
2. 西安电力电于技术研究所,西安,710061 |
| |
| 摘 要： | 建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁，栅穿效应的等效电路模型，介绍了模型参数提取方法。采用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对单粒子烧毁，栅穿效应机理进行了模拟相分析，建立了Ｃｆ－２５２裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁，栅穿效应的测试装置，实验结果表明：本文建立的模拟方法，测试系统和实验方法是可行的和可靠的。
|
| 关 键 词： | 电路模拟 功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 |
| 修稿时间： | 1999-12-28 |
Studies of Equivalent Circuit Simulation and Testing Techniques for Single Event Burnout and Gate Rupture of Power MOSFETs |
| |
| Tang Benqi.Studies of Equivalent Circuit Simulation and Testing Techniques for Single Event Burnout and Gate Rupture of Power MOSFETs[J].Power Electronics,2000,34(4):56-59. |
| |
| Authors: | Tang Benqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
