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近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究
作者姓名:李锦  郑毓峰  戴康  徐金宝  陈树义
作者单位:新疆大学物理系 乌鲁木齐 830046
基金项目:国家自然科学基金(59862002)
摘    要:采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.

关 键 词:近距离升华(CSS)技术  CdTe薄膜  
文章编号:1000-324X(2003)01-0195-05
收稿时间:2001-11-27
修稿时间:2001-11-27
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