| Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚 |
| |
| 引用本文： | 陈宁,余宗森.Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚[J].金属学报,1992,28(9):63-66. |
| |
| 作者姓名： | 陈宁 余宗森 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学 教授(陈宁)，北京科技大学材料物理系 北京(100083)(余宗森) |
| |
| 摘 要： | 金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-％Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。
|
| 关 键 词： | 非平衡偏聚 空位 铝硅合金 表面 |
| 收稿时间： | 1992-09-18 |
| 修稿时间： | 1992-09-18 |
NON-EQUILIBRIUM SEGREGATION OF Si ON Al-0.35wt-%Si ALLOY SURFACE |
| |
| CHEN Ning,YU Zongsen.NON-EQUILIBRIUM SEGREGATION OF Si ON Al-0.35wt-%Si ALLOY SURFACE[J].Acta Metallurgica Sinica,1992,28(9):63-66. |
| |
| Authors: | CHEN Ning YU Zongsen |
| |
| Affiliation: | University of Science and Technology Beijing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | non-equilibrium segregation vacancy Al-Si alloy surface |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《金属学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《金属学报》下载全文 |
