| 800V／10A和1200V／6A绝缘栅双极晶体管的研制 |
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| 引用本文： | 袁寿财 刘玉书. 800V／10A和1200V／6A绝缘栅双极晶体管的研制[J]. 微电子学与计算机, 1994, 11(2): 54-56 |
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| 作者姓名： | 袁寿财 刘玉书 |
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| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所 |
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| 摘 要： | 本文简单介绍了８００Ｖ／１０Ａ和１２００Ｖ／Ａ绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的研制．重点介绍工艺过程和测试结果．
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管，功率，半导体 |
Research for 800V/ 10A and 1200V/6A IGBT |
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| Yuan Shoucai,Wang Xiaobao. Research for 800V/ 10A and 1200V/6A IGBT[J]. Microelectronics & Computer, 1994, 11(2): 54-56 |
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| Authors: | Yuan Shoucai Wang Xiaobao |
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| Abstract: | In this paper the research and fabrication of 800V/ 10A and 1200V/ 6A Insulate Gate Bipolar Transistor (IGBT)are simply Prcsented and experimental results are given. |
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| Keywords: | IGBT Power Semiconductor |
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