掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 |
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引用本文: | 严荣良,赵元富.掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响[J].微电子学与计算机,1994,11(1):49-51. |
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作者姓名: | 严荣良 赵元富 |
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摘 要: | 研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。
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关 键 词: | 掺杂 氯化氢 MOS结构 电特性 |
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