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| 离子束退火优于激光退火 | |
| 作者姓名： | 肖虹 |
| 摘 要： | <正> IBM 的研究人员正在研究一种新的离子束退火的方法,该方法开辟了用掺杂剂离子的脉冲束进行自退火注入的可能性。他们在1980年11月19日于波士顿举行的材料研究学会年会上发表了有关该项工作作的论文,说明了他们怎样用300KeV 能量的离子束在注入和未注入过的硅中产生有规则的再生长。该工作引起有关人员的强烈兴趣,因为用强的脉冲离子束对薄膜材料退火在以下几方面 |
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