SOI MOSFET I—V特性的计算机模拟 |
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引用本文: | 王煜,罗台秦.SOI MOSFET I—V特性的计算机模拟[J].电子学报,1995,23(2):30-34. |
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作者姓名: | 王煜 罗台秦 |
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摘 要: | 本文研究了SOI MOSFET的I-V特性,建立了一套模拟SOI器件工作特性的解析模型,适用于不同的SOI膜厚和各种前、背栅的偏置情况,在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合。该模型物理意义明确,计算简便快速,所用参数易于提取。
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关 键 词: | 计算机模拟 SOI/MOS器件 I-V特性 场效应晶体管 |
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