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杂志ISSN号
SOI MOSFET I—V特性的计算机模拟
作者姓名:
王煜 罗台秦
摘 要:
本文研究了SOI MOSFET的I-V特性,建立了一套模拟SOI器件工作特性的解析模型,适用于不同的SOI膜厚和各种前、背栅的偏置情况,在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合。该模型物理意义明确,计算简便快速,所用参数易于提取。
关 键 词:
计算机模拟 SOI/MOS器件 I-V特性 场效应晶体管
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