| 两种H形管的抗总剂量性能仿真研究 |
| |
| 引用本文： | 裴国旭.两种H形管的抗总剂量性能仿真研究[J].电子器件,2014,37(6). |
| |
| 作者姓名： | 裴国旭 |
| |
| 作者单位： | 深圳市国微电子股份有限公司,广东 深圳,518057 |
| |
| 摘 要： | 为了研究0.13μm体硅工艺的抗总剂量效应加固,分别对两种结构的H形管的性能做了仿真研究。仿真结果表明,两种结构的H形管有基本相同的转移特性曲线,但有一种结构的H形管有较大的饱和电流;同时,此结构的H形管还有较强的抗总剂量性能,可考虑在抗辐照要求的集成电路中使用。
|
| 关 键 词： | 抗辐照 总剂量效应 H形管 |
Simulation of the Total Ionizing Dose Effect of Two Kinds of Different H-gate MOSFETs |
| |
| PEI Guoxu?
,
DENG Yuling,QIU Henggong,LI Xiaohui,ZOU Li.Simulation of the Total Ionizing Dose Effect of Two Kinds of Different H-gate MOSFETs[J].Journal of Electron Devices,2014,37(6). |
| |
| Authors: | PEI Guoxu? DENG Yuling QIU Henggong LI Xiaohui ZOU Li |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | radiation hardened total ionizing dose effect H-gate transistor |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载全文 |
|
