| 10A/600V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备 |
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| 引用本文： | 陈菩祥,高桦,李海蓉,刘肃. 10A/600V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备[J]. 电子器件, 2014, 37(6) |
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| 作者姓名： | 陈菩祥 高桦 李海蓉 刘肃 |
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| 作者单位： | 兰州大学微电子所,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 甘肃省科技支撑计划项目 |
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| 摘 要： | 为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P+-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管(JBS),终端结构由7道场限环和1道切断环构成。通过模拟确定最优参数后流片试验,同步制备肖特基二极管(SBD)和Pi N二极管作为对比。结果表明:制备的JBS二极管兼备SBD二极管正偏和Pi N二极管反偏的优点。在漏电流密度小于1×10-5A/cm2时,反向耐压达到600 V;正向电流10 A(80.6 A/cm2)时,导通压降仅为1.1V。
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| 关 键 词： | 肖特基二极管 结势垒肖特基二极管 栅条结构 场限环 反向耐压 V |
Fabrication of High-Power 10 A/600 V Si-Based Junction Barrier Schottky(JBS) Diode |
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| CHEN Puxiang,GAO Hua,LI Hairong,LIU Su?. Fabrication of High-Power 10 A/600 V Si-Based Junction Barrier Schottky(JBS) Diode[J]. Journal of Electron Devices, 2014, 37(6) |
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| Authors: | CHEN Puxiang GAO Hua LI Hairong LIU Su? |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SBD diodes JBS diodes gridstructure field guarding rings breakdown voltage 600 V |
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