| (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3薄膜的射频磁控溅射制备和性能研究 |
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| 引用本文： | 吴家刚,朱基亮,肖定全,朱建国,谭浚哲,张青磊.(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3薄膜的射频磁控溅射制备和性能研究[J].功能材料,2007,38(3):351-353. |
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| 作者姓名： | 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国 谭浚哲 张青磊 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术,以LaNiO3(LNO)作为过渡层,在SiO2/Si(100)、Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上分别获得了(100)、(110)取向的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜.研究了LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)和LNO/SiO2/Si(100)基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响.实验结果表明,与在LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积的(110)取向的PLT薄膜相比较,在LNO/SiO2/Si(100)基底上沉积的高度(100)取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度,其2Pr为40.4μC/cm2.
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| 关 键 词： | (Pb090La010)Ti0975O3(PLT) 铁电薄膜 射频磁控溅射 LaNiO3 剩余极化 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）03-0351-03 |
| 修稿时间： | 2006-09-05 |
Fabrication and properties of (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3 thin filmsprepared by RF magnetron sputtering |
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| WU Jia-gang,ZHU Ji-liang,XIAO Ding-quan,ZHU Jian-guo,TAN Jun-zhe,ZHANG Qing-lei.Fabrication and properties of (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3 thin filmsprepared by RF magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials,2007,38(3):351-353. |
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| Authors: | WU Jia-gang ZHU Ji-liang XIAO Ding-quan ZHU Jian-guo TAN Jun-zhe ZHANG Qing-lei |
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| Affiliation: | Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | (Pb0 90La0 10)Ti0 975O3 ferroelectric thin films RF magnetron sputtering LaNiO3 remnant polarization |
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